长江存储64层3D NAND闪存量产 国内存储芯片再进一步

9月2日，紫光集团旗下长江存储宣布，公司已开始量产基于Xtacking®架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存。

（长江存储64层3D NAND闪存晶圆）

这也是中国首款64层3D NAND闪存，意味着国内在存储芯片有了新的突破。在2018年，长江存储已经量产了32层3D NAND闪存芯片，技术得到了验证。如今，随着64层3D NAND量产，长江存储继续探索高端芯片制造。

市场应用方面，长江存储计划推出集成64层3D NAND闪存的固态硬盘、UFS等产品，以满足数据中心，以及企业级服务器、个人电脑和移动设备制造商的需求。

长江存储联席首席技术官、技术研发中心高级副总裁程卫华表示：“通过将Xtacking®架构引入批量生产，能够显著提升产品性能，缩短开发周期和生产制造周期，从而推动高速大容量存储解决方案市场的快速发展。”程卫华还提到，“随着5G，人工智能和超大规模数据中心时代的到来，闪存市场的需求将持续增长。” 

从全球市场看，存储芯片竞争激烈，三星、海力士、东芝、西部数据、美光、英特尔等巨头在产能上持续投入，技术也一直领先。2018年，64层、72层的3D NAND闪存就已经是主力产品，2019年开始量产92层、96层的产品，到2020年，大厂们即将进入128层3D NAND闪存的量产。

因此，国内存储产业还处在追赶阶段，不过差距正在缩小。据了解，长江存储有可能跳过9字头，直接进军128层3D NAND闪存产品。

对此，集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）此前就指出，随着长江存储2020年产能逐步扩大，全球NAND Flash市场供给与价格将受到冲击。

集邦咨询还指出，长江存储初期着重国内市场销售，已于第一季送交样品给部分客户及控制器厂商。此外，长江存储已完成武汉厂的建设，并有限投产32层产品。待64层正式量产后，产能扩张将转趋积极。

2020年后其产能规划将逐步放大，预计到年底扩张达至少60K/m的投片量。尽管相对其他竞争者动辄200K/m以上的产能并不算大，但预估NAND Flash市场价格仍会受到一定冲击，进而导致跌价趋势持续。

集邦咨询分析，一方面，中国新开产能以达成自给的目标相当明确，另一方面，国际厂商为适应2020年后的竞争提升产能（包含三星西安二期、东芝岩手县新厂、美光新加坡三厂、SK Hynix M15厂的剩余空间加上后续的M16厂房等），预期未来价格竞争恐将更为激烈。

（编辑：李清宇）