3月26日晚，“国产替代”板块牛股兆易创新2019年年报出炉。
报告期内，公司实现营收32.03亿元，同比增长42.62%；净利为6.07亿元，同比增长49.85%，归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润5.66亿元，同比增长56.70%。
在此之前，作为国内知名的闪存芯片企业，从2018年下旬开始，兆易创新受“国产替代”概念鼓舞，迎来了一场声势浩大的上涨潮，从2019年累计上涨229.97%，2020年继续上行，其在2020年1月和2月分别上涨38.12%和28.28%，后随全球股市动荡影响，3月以来股价不断回落。
50%的业绩增速低于预期
尽管兆易创新2019年业绩增速超过5成，位于2019年业绩预增公告区间内，但不少机构人士看来，其2019年的“成绩单”是不及预期的。
天风证券电子团队就指出，兆易创新的净利润略低于此前该团队预计的6.55亿净利润预期，判断为奖金计提等费用因素造成。
西部证券也直言不讳地指出，公司净利润低于此前预计的6.92亿元。判断主要有两个原因：一是行业季节性波动影响，从历史数据来看，公司NORFlash和MCU业务业绩高点在Q2、Q3，第四季度由于产品发货和会计入账等因素要弱于前两季度，但这并不意味着公司产品需求的下降，目前公司产品仍然处于供不应求状态；
二是费用的增加，公司在2019年不断扩大研发团队的规模，其中还新增了DRAM设计团队，认为年末的奖金激励等费用也会对公司业绩产生影响。
事实上，兆易创新也在年报数据中披露了2019年净利润变化的主要原因，其中包括三点：
一是收入增加，导致毛利增加约 4.39 亿元；
二是研发费用增加1.55 亿元，其一为人工工资薪酬同期增加 9,492 万元，主要是研发人员调薪以及人员增加所致，其中股权激励导致同期增加约 723 万元;其二加大研发投入，其中资产投入导致折旧摊销增加约 3,536 万元，测试费和材料费较去年同期增加约 1,795 万元;
三是销售和管理费用增加9,222 万元，主要是调薪和人员增加导致的人工增加。
具体来看，在营收方面，兆易创新年报指出，2019年存储芯片销售增加约7.17亿元人民币；微控制器2019年收入较2018年收入增加约3,920万元人民币；纳入合并报表范围的上海思立微电子科技有限公司合并期间即2019年6-12月的收入贡献2.03亿元人民币。
其中集成电路产品是实现营业收入32.02亿元，同比增长42.62%，毛利率为40.52%，较2018年提升2.27个百分点；存储芯片实现营业收入25.56亿元，同比增长38.98%，毛利率为38.90%，较2018年提升1.86个百分点；微控制器实现营业收入4.44亿元，同比增长9.69%，毛利率为45.38%，较2018年提升1.67百分点；传感器实现营业收入2.03亿元，同比增长42.62%。
整体来看，兆易创新综合毛利率较2018年同期增加2.27个百分点。
业务分布上看，兆易创新的业绩收入主要来源于境外，但境内销售收入显著提升，其境外销售收入高达26.39亿元，同比增长35.49%，境内销售收入仅5.63亿元，占总营收的比重不到18%，但同比于2018年境内销售收入增长了89.29%，境内销售毛利率提升3.78个百分点。
其存储芯片和微控制器的销售量和生产量也分别胶片2018年显著提升。其中存储芯片2019年销售量和生产量分别增长45.57%和47.81%。
据CINNOResearch对2019第三季度存储产业研究报告显示，兆易创新NorFlash市场份额提升到18.3%，超越 赛普拉斯排名全球第三，前二名分别为华邦电子和旺宏电子。
依据IHSMarkit报告，在中国ArmCortex-MMCU市场,2018年公司销售额排名为第三位，市场占有率9.4%，前两位分别为意法半导体（STMicroelectronics）和恩智浦半导体（NXP）。
依据赛迪数据，2018年公司传感器业务（思立微）中，触控芯片全球市场份额为11.40%，兆易创新排名第四；指纹芯片全球市场份额为9.40%，排名第三，前二位分别为汇顶科技、FPC。
研发人员增长七成
在一系列业绩数据增长的同时，兆易创新的研发投入也显著增长，这也是公司2019年净利润低于预期的重要原因之一。
根据年报数据显示，2019年公司研发投入达到3.78亿元，占营业收入11.8%，相比2018年同期增长64.33%。同时，截至2019年末，兆易创新研发人员数量从2018年的344人大幅增加至586人（增幅超过70%），研发人员数量占公司总人数的比例高达68.62%。
截至2019年末，在涵盖NOR Flash、NAND Flash、MCU、指纹识别等芯片关键技术领域，兆易创新已积累1,195项国内外有效的专利申请，其中2019年已提交新申请专利201项，新获得156专利授权。持续的研发投入，是公司提升技术水平和产品竞争力的有力保障。
2019年9月，兆易创新发布非公开发行股票预案，拟募集资金总额不超过人民币43.24亿元，用于DRAM芯片自主研发及产业化项目及补充流动资金。项目开发目标为研发1Xnm级（19nm、17nm）工艺制程下的DRAM技术，设计和开发DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片。
此研发项目的成功实施，将实现国内存储芯片设计企业在DRAM领域的突破，也有助于公司战略拓展业务领域。2019年，公司DRAM项目组建了由数十名资深工程师组成的核心研发团队，涵盖前端设计、后端产品测试与验证。
此外，公司持续推进合肥12英寸晶圆存储器研发项目合作。2019年4月26日，公司与合肥产投、合肥长鑫集成电路有限责任公司签署《可转股债权投资协议》，约定以可转股债权方式对项目投资3亿元，并继续研究商讨后续合作方案。业务方面，公司将与合肥长鑫探讨在DRAM产品销售、代工、以及工程端的多种合作模式。
西部证券指出，NORFlash景气度不断上行，DRAM项目进展顺利。NORFlash下游需求在IOT时代趋向于多样化，在行业产能提升困难的现状下，2020年NOR的价格上涨趋势较为确定，公司作为行业龙头将显著受益。公司拟定增的DRAM设计业务进展顺利，研发团队核心技术带头人员从事DRAM芯片行业平均超过二十年，在合肥长鑫加速发展的的带动下，认为公司DRAM项目有望加速发展，助力公司加入百亿营收俱乐部。
（编辑：朱益民）