距上一代64层3D NAND闪存的发布，此次推新仅半年时间。
长江存储科技有限责任公司4月13日宣布，其128层QLC 3D NAND 闪存（型号： X2-6070）研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。
作为业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存，长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度、最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量。
为满足不同场景的需求，此次同时发布的还有128层512Gb TLC（3 bit/cell）规格闪存芯片（型号：X2-9060）。
据了解，在长江存储128层系列产品中，Xtacking架构已全面升级至2.0。因而，在I/O读写性能方面，X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq电压下实现1.6Gbps的数据传输速率。
存储方面，资料显示，每颗X2-6070 QLC闪存芯片拥有128层三维堆栈，共有超过3,665亿个有效的电荷俘获型（Charge-Trap）存储单元 ，每个存储单元可存储4字位（bit）的数据，共提供1.33Tb的存储容量，是上一代64层单颗芯片容量的5.33倍。
长江存储市场与销售高级副总裁龚翊指出，长江存储128层QLC 版本将率先应用于消费级SSD，并逐步进入企业级服务器、数据中心等领域，以满足未来5G、AI时代多元化数据存储需求。
闪存和SSD领域知名市场研究公司Forward Insights创始人兼首席分析师Gregory Wong指出，随着主流消费类SSD容量迈入512GB及以上，QLC SSD未来市场增量将非常可观。
“与传统HDD相比，QLC SSD更具性能优势。在企业级领域， QLC SSD将为服务器和数据中心带来更低的读延迟，使其更适用于AI计算，机器学习，实时分析和大数据中的读取密集型应用。在消费类领域，QLC将率先在大容量U盘，闪存卡和SSD中普及。”Gregory Wong表示。
2019年9月2日，长江存储宣布，其已开始量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存，其中每颗裸芯片的存储容量为256千兆字位，每个存储单元为三个字位的三维闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求，这也是中国首款64层3D NAND闪存。
（编辑：李清宇）