半导体先进技术大会在苏州举行，共话泛半导体产业热需

近期，“2023苏州·半导体先进技术创新发展和机遇大会”在苏州举行，本次活动由由ACT雅时国际商讯主办，邀请了70多位专家、70多家参展商和300多家参会企业参加。

多位专家学者围绕论坛主题作了精彩的演讲报告，积极分享最新科研成果，并展开了热烈的讨论。

香港应用科技研究院集成电路及系统技术部副高级总监高子阳表示，大功率模块需要采用多芯片并联来提升整体电流等级，多芯片并联存在各种参数差异导致的失效问题，需要额外设计快速响应短路保护电路，高温封装涉及封装结构、材料及工艺的整体改变。高子阳博士针对这些问题提出了碳化硅器件设计的改进建议。

近年来，全球SiC和GaN产业发展迅速。BelGaN BV  CEO周贞宏博士认为，SiC和GaN行业的痛点在于，相比传统硅材料生产成本较高，使一些应用受限；加工和制造需要更高水平的专业知识和技能。因此，公司战略定位、资源整合、产业协同是未来发展的关键。

常州臻晶半导体有限公司董事长、总经理陆敏认为，碳化硅车规应用已逐渐成为电动汽车标配，但传统PVT技术的低生长效率及低良率又让碳化硅衬底价格居高不下。陆敏针对碳化硅长晶三大技术特点，给出了成本分析及发展趋势评估，同时聚焦液相法颠覆性技术赛道，概论国内外发展现状，呈现主要关键科学问题及其产业化时间节点预测和对碳化硅行业带来的巨大利好。

株洲中车时代电气股份有限公司刘国友认为，新能源汽车对车规级功率半导体小型轻量化提出了越来越高的要求，刘国友从车规级应用对功率半导体功率密度的要求、车规功率半导体设计与制造协同，以及车规级功率半导体性能、成本与可靠性几个方面阐述了车规功率半导体技术发展方向。

布鲁克（北京）科技有限公司中国区应用专家林华认为，针对红外反射光谱法测试分析碳化硅外延片厚度问题，林华专家介绍了基本原理及典型反射光谱，探讨了传统计算外延层厚度存在的问题，并分析了红外全谱物理自洽拟合计算模型的优势，举例给出了单层同质、多层同质碳化硅外延层厚度分析结果。

厦门云天半导体董事长于大全认为，随着摩尔定律趋缓，集成电路封装技术飞速发展，AI、5G、新能源汽车等新兴领域推动先进封装向三维、高密度和异构集成方向发展。于大全教授论述了集成电路和化合物器件的封装需求差异，以及先进封装在化合物半导体器件封装方面的潜在应用前景。