科创芯片设计ETF天弘(589070) 标的指数昨日涨超2%，连续4日获净流入累超7800万元

昨日（3月24日），三大指数集体上涨，截至收盘，上证科创板芯片设计主题指数(950162.SH)上涨2.7%，该指数成分股中，芯原股份上涨超8%，力芯微与裕太微上涨超6%，寒武纪上涨近6%。

相关ETF方面，科创芯片设计ETF天弘(589070)截至收盘成交额超7100万元。资金流向方面，截至3月24日，该ETF已连续4个交易日获资金净流入，累计净流入额超7800万元。

科创芯片设计ETF天弘（589070）具备20%的涨跌幅空间。该产品紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数，指数聚焦于芯片设计核心环节，相关行业含量接近95%，行业集中度较高、“含芯量”突出，其成分股涵盖50家科创板芯片领域龙头企业。

消息面上，据财联社，华尔街知名投行韦德布什（Wedbush）最新指出，人工智能（AI）基础设施建设带来的内存需求激增以及供应紧张，将推动部分内存产品价格涨幅超100%。Wedbush分析师在周一发布的报告中表示，DRAM与NAND存储价格正快速上涨，预计在2025年第四季度基础上，2026年上半年价格涨幅将达到“三位数”水平。其中，DRAM价格涨幅有望达到130%至150%，NAND涨幅也接近这一水平，显示出存储市场正进入新一轮强劲周期。

华富证券表示，半导体材料国产化加速，下游晶圆厂扩产迅猛，看好头部企业产业红利优势最大化。光刻胶板块为我国自主可控之路上关键核心环节，下游晶圆厂逐步落成，芯片产能有望持续释放。