台积电拟于2028年在日量产3nm芯片，科创芯片设计ETF天弘（589070）近10日“吸金”累计超6500万元

4月2日，A股三大指数早盘集体低开，上证科创板芯片设计主题指数截至发稿跌0.48%。

热门ETF中，截至发稿，科创芯片设计ETF天弘（589070）成交额超900万元，换手率1.44%。成分股中，澜起科技、佰维存储、联芸科技涨幅领先。

资金流向来看，Wind数据显示，截至4月1日，该ETF近10日有7日获资金净流入，累计“吸金”超6500万元。

科创芯片设计ETF天弘（589070）具备20%的涨跌幅空间。该产品紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数，指数聚焦于芯片设计核心环节，相关行业含量接近95%，行业集中度较高、“含芯量”突出，其成分股涵盖50家科创板芯片领域龙头企业。

消息面来看，据财联社，台积电计划于2028年在日本开始量产先进的3纳米（3nm）芯片，位于熊本的第二晶圆厂每月产能为15,000片12英寸晶圆，这将是日本国内首度具备3纳米制程的生产能力。

中信证券研报表示，受AI强劲需求拉动，判断存储需求将保持高景气度，存储芯片的涨价有望贯穿2026年全年并持续带来行业催化。看好国内存储大厂的产能扩张和技术迭代加速，晶圆制造工艺相关的半导体材料用量料将大幅提升，大厂的材料及零部件端核心供应商有望充分受益，随下游产能落地节奏实现经营数据的阶梯式大幅增长。