科创芯片设计ETF天弘（589070）标的指数逆市涨超1%，小米卢伟冰回应部分机型涨价：本轮内存涨价力度远超预期

4月3日，A股三大指数下跌，半导体板块部分个股逆市活跃。上证科创板芯片设计主题指数截至发稿逆市涨1.05%，成分股中，思特威涨超5%，复旦微电涨超4%，芯动联科涨近4%。

相关ETF中，科创芯片设计ETF天弘（589070）盘中成交额突破3600万元，换手率超5.8%，盘中交投活跃，且频现溢价交易，当前溢折率0.02%。

值得一提的是，Wind数据显示，该ETF在过去5个交易日中有3日获资金净流入，累计净流入额845万元。截至最新收盘，该ETF最新流通份额为7.31亿份，最新流通规模为6.13亿元。

科创芯片设计ETF天弘（589070）紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数，上证科创板芯片设计主题指数选取科创板内业务涉及芯片设计领域的上市公司证券作为指数样本，以反映科创板芯片设计领域上市公司证券的整体表现。

消息面上，今日，小米卢伟冰在微博发文回应部分机型涨价称，“本轮内存涨价的力度确实远超预期，同版本内存价格相比去年Q1飙升近4倍。12+512涨了约1500元，16+1T更是涨得离谱，这对一直以极致性价比定价的REDMI产生了很大的影响。所以我们不得不对部分机型的零售价格做出小幅上涨或者恢复原价，还望大家理解。”

爱建证券表示，持续看好人工智能产业浪潮下的科技行业发展，重点推荐存储芯片板块景气持续带动下的投资机会。我们看好国产存储芯片产业链将会迎来一轮历史性的发展机遇。