科创芯片设计ETF天弘（589070）标的指数近5日累涨近20%，SK海力士曝联手英特尔测试EMIB技术

5月12日，三大指数涨跌不一，上证科创板芯片设计主题指数截至发稿下跌1.07%，该指数成分股中，思特威-W、中科蓝讯上涨超7%。值得一提的是，截至5月11日，上证科创板芯片设计主题指数近5个交易日累计涨幅达19.72%。

相关ETF中，科创芯片设计ETF天弘（589070）截至发稿成交额超6100万元，换手率超14%，盘中交投活跃。

科创芯片设计ETF天弘（589070）紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数，上证科创板芯片设计主题指数选取科创板内业务涉及芯片设计领域的上市公司证券作为指数样本，以反映科创板芯片设计领域上市公司证券的整体表现，“含芯量”满满。

消息面上，据财联社援引报道，SK海力士正在与英特尔合作开展2.5D封装技术的研究与开发。此外，SK海力士正在考虑采用英特尔研发的2.5D封装技术“嵌入式多芯片互连桥（EMIB）”。据悉，该公司目前正在进行测试，以将HBM和系统半导体与英特尔提供的EMIB嵌入式基板结合使用。

爱建证券表示，看好国产存储芯片产业链将会迎来一轮历史性的发展机遇。具体产业链环节包括，存储芯片模组，存储芯片封测，存储芯片制造以及上游相关设备材料。除此之外，人工智能产业链对于PCB和被动元件行业的带动也在逐渐显现。建议投资者可以关注元件产业链相关投资机会。