三星电子HBM5细节曝光！科创芯片设计ETF天弘（589070）标的指数盘中涨超2%，换手率超3%交投活跃

6月3日，三大指数涨跌不一，上证科创板芯片设计主题指数截至发稿上涨2.62%，该指数成分股中，澜起科技涨超7%。

相关ETF方面，科创芯片设计ETF天弘（589070）截至发稿成交额超1000万元，换手率超3%，盘中交投活跃。

Wind金融终端数据显示，截至6月2日，科创芯片设计ETF天弘（589070）近5个交易日累计获1730万元资金净流入。

科创芯片设计ETF天弘（589070）紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数，上证科创板芯片设计主题指数选取科创板内业务涉及芯片设计领域的上市公司证券作为指数样本，以反映科创板芯片设计领域上市公司证券的整体表现，“含芯量”满满。

消息面上，据财联社，在Computex 2026电脑展上，三星电子首次展示了第八代高带宽存储芯片HBM5，并首次公开推出了HPB（Heat Pass Block，导热块）散热方案。据报道，三星电子计划使用其自主研发的2nm工艺制造的芯片生产HBM5，预计将在2028年左右实现量产。而HPB将是大规模应用于其中的核心热管理技术。

招商证券指出，在AI高速发展与海外技术限制的双重背景下，半导体芯片产业正同时受益于AI资本开支扩张与国内各项政策持续支持。以存储、国产算力芯片、设备材料及零部件三大方向为代表，产业链景气度持续提升，行业收入与利润正逐步进入兑现阶段。