DRAM缺口约8%，分析师看好存储产业范式重构！中证半导指数“长鑫存储”概念含量53%

长鑫科技科创板IPO推进、长江存储启动上市辅导，国产存储双雄加速登陆资本市场。招商证券电子行业首席分析师鄢凡观点认为，这不仅是融资扩产，更是在全球存储产业范式重构下的战略性卡位。

鄢凡分析指出，本轮周期呈现三大结构性变革，一是需求端从消费电子波动切换为AI驱动的长增长，CSP客户以长协锁货，价格中枢抬升、波动减小，存储正从强周期走向成长行业；二是HBM消耗产能达普通DRAM的2.5-3倍，原厂主动转向先进产品，为国内厂商留出发展窗口；三是地缘双轨化下，国内CSP加速导入国产存储，国产厂商享有结构性保护。

分析还指出，供需层面，今年DRAM缺口约8%、NAND缺口约5%，紧缺或延续至2027年，海外新增产能主要于2027下半年释放，存储价格持续强劲。全球格局上，长鑫DRAM份额升至约8%并向10%突破，长江存储NAND份额约10%。

半导体设备ETF招商（561980）跟踪中证半导指数，覆盖刻蚀、薄膜沉积、CMP、量检测等核心领域，“长鑫存储”概念含量高达53%，有望受益于“两存”产能扩容及全产业链订单传导。