全球最火内存ETF纳入兆易创新！芯片ETF天弘（159310）盘中溢价，近五日净流入超6000万元

6月30日，三大指数开盘涨跌不一。

热门ETF中，芯片ETF天弘（159310）截至发稿成交额超1900万元，溢价率0.34%，盘中现溢价交易。成分股中，格科微、翱捷科技-U、中科飞测涨幅领先。Wind数据显示，该ETF近5日获资金净流入超6000万元。

此外，科创芯片设计ETF天弘（589070）截至发稿成交额超4000万元，换手率超2%。

消息面上，据证券时报，近日，全球“最火”内存ETF——Roundhill Memory ETF（DRAM）进行了调仓，首次纳入A股存储芯片巨头兆易创新，权重为2.91%，为该ETF的第8大重仓股。Roundhill Memory ETF是全球首款专门聚焦于计算机存储与数据存储行业的纯主题型ETF。

芯片ETF天弘（159310，场外C类012553）跟踪中证芯片产业指数。在政策支持与需求爆发双轮驱动下，板块业绩持续高增。该指数十大权重股包括寒武纪、海光信息、中芯国际、兆易创新等科技龙头。

科创芯片设计ETF天弘（589070）紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数，上证科创板芯片设计主题指数选取科创板内业务涉及芯片设计领域的上市公司证券作为指数样本，以反映科创板芯片设计领域上市公司证券的整体表现，“含芯量”满满。

平安证券指出，半导体行业在“AI+国产化”双轮驱动下呈现强劲增长态势。国产化方面，设备材料全面受益，中国半导体设备国产化率已提升至13.6%，刻蚀、清洗等设备国产化率突破双位数；模拟芯片国产化空间广阔，消费电子领域国产化率达40-50%，但汽车领域仅5%左右。