三星公布全新3D内存路线图，半导体设备ETF易方达（159558）标的指数涨超4%

8月5日盘初，半导体板块拉升，截至发稿，中证半导体材料设备主题指数上涨4.28%，上证科创板芯片指数上涨2.8%。Wind数据显示，截至昨日，半导体设备ETF易方达（159558）近一月获超65亿元资金净流入。

消息面上，据财联社 ，三星电子在美国加州圣克拉拉举行的未来存储与内存大会（FMS）上推出其V10 Bonding V-NAND，即BV-NAND原型产品。三星还展示了其称业界首款zHBM和zNAND-O架构概念模型，该技术通过垂直堆叠存储单元，在更小空间内存储更多数据，其性能约为下一代HBM5的八倍。不同于传统HBM与AI处理器并列封装的方式，三星的zHBM会将存储垂直堆叠于AI加速器之上，以缩短数据传输距离，提高带宽，同时提升能源效率。三星表示，其晶圆键合技术有望实现超过传统HBM5内存10倍的存储密度，同时将能源效率提高3倍，并将热阻降低一半以上。

长江证券指出，半导体设备是存储芯片产业链实现产能扩张与技术迭代的底层支撑，从前道光刻、刻蚀等核心工艺的制程升级，到中后道TSV硅通孔与先进封装的产能构建，设备投资在存储扩产周期中具备显著的前置效应。

半导体设备ETF易方达（159558，联接基金A/C：021893/021894）跟踪中证半导体材料设备主题指数，聚焦半导体上游关键环节，覆盖光刻、刻蚀、薄膜沉积、量测检测等核心设备与材料领域；科创芯片ETF易方达（589130，联接基金A/C：020670/020671）跟踪上证科创板芯片指数，汇聚科创板芯片龙头，聚焦AI芯片、先进制程、半导体设备等方向，助力投资者把握布局半导体产业链景气机遇。

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