8月5日，A股三大指数集体低开，截至发稿，上证科创板芯片设计主题指数上涨3.33%，该指数成分股中，杰华特上涨超8%。

相关ETF中，截至发稿，科创芯片设计ETF天弘（589070）成交额超1200万元，盘初交投活跃。

资金流向方面，Wind金融终端数据显示，截至8月4日，科创芯片设计ETF天弘（589070）近60个交易日累计获超20亿元资金净流入。

科创芯片设计ETF天弘（589070）紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数，上证科创板芯片设计主题指数选取科创板内业务涉及芯片设计领域的上市公司证券作为指数样本，以反映科创板芯片设计领域上市公司证券的整体表现。科创芯片设计ETF天弘（589070）同时设有场外ETF联接基金（A：027574，C：027575）。

消息面上，据财联社援引报道，业界人士指出，近期原厂已完成2027全年产能分配谈判，三大原厂的DRAM与HBM产能均提前售罄。 NAND Flash虽然没有像DRAM一样供应吃紧，但预计2026年8月底前的产能也将被预订完毕。无论是否签订LTA长期合约，买家均配合原厂的提前预付订金模式，这将应验2027年是“存储最短缺一年”的看法，但后续价格涨幅有望趋缓。

爱建证券建议关注国产存储产业链相关投资机会。AI算力扩张拉动HBM、服务器DRAM需求增长，海外存储大厂产能向AI高端存储倾斜。DRAM/NAND价格上涨节奏边际放缓，行业结构性分化凸显。

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（作者：王婷婷 编辑：梁明）