8月11日,三大指数涨跌不一,截至发稿,上证综指下跌0.35%,深证成指上涨0.18%,创业板指上涨0.89%。上证科创板芯片设计主题指数(950162.SH)上涨0.96%,该指数成分股中,联芸科技上涨超11%,力芯微、纳芯微与思瑞浦上涨超6%,新相微、乐鑫科技与恒玄科技上涨超5%。
摩根大通在最新研报中指出,AI需求推动存储芯片价格和出货量同步增长,该行将2026年至2028年全球存储市场规模预测上调4%至8%,预计市场规模将由2026年的约9690亿美元增至2027年的1.44万亿美元、2028年的1.82万亿美元。供需短缺未来两年仍将持续,2027年可能进一步恶化,2028年仅小幅缓解;明年客户需求与供应之比仍只有70%至80%。
东吴证券指出,AI驱动存储进入“超级周期”,HBM供给紧平衡将持续至2027年,同时3D DRAM在2026—2027年放量,赋能端侧AI大模型部署,这将成为芯片设计行业的核心增长引擎。
科创芯片设计指数(950162)100%聚焦于芯片设计环节,其中数字芯片设计权重高达76.83%,模拟芯片设计占比17.68%,两者合计超过94.51%。截至2026年Q1,该指数归母净利润同比增长260.14%,营业收入同比增长58.72%,显示出极高的成长性。
从指数表现来看,Wind数据显示,截至8月10日,科创芯片设计指数近一年涨幅达73.79%。
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(作者:赵阳)
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