三星电子、台积电确认分别于2028、2030年将High NA EUV用于量产
金融界
2026-09-08 15:38
来源：金融界
ASML今日在SPIE前夕宣布了与三大先进制程企业的合作，各方将共同推动High NA EUV光刻图案化系统从传统6英寸掩膜/光罩过渡至12英寸掩膜，以提升机台生产效率、降低制造成本，化解当前方案存在的“半场”拼接问题。
而在合作新闻稿中，三星电子确认计划在2028年将High NA EUV技术用于先进DRAM内存的大规模生产，台积电则计划从2031年开始向先进逻辑制程量产中导入High NA EUV。
各方计划在2031年前建设12英寸掩膜试点线，为其于2033年在High NA EUV先进制程中投产做好准备。
（来源：金融界 编辑：骆一帆）
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