11.95纳米，接近全球顶尖！长鑫存储宣布G5平台量产

上周A股开启修复行情，科技板块大幅反弹。半导体方向涨幅居前，半导体设备ETF招商（561980）标的指数单周上涨8%，为周度涨幅较大的方向之一、资金面兑现特征明显。

周末产业传来重磅利好。2026年9月20日，长鑫存储在世界制造业大会上宣布第五代DRAM技术平台正式量产，同步展出两款基于该平台的24Gb LPDDR5X产品，均已进入规模量产阶段。

搭载该产品的全球首款AI智能体手机努比亚NaviX Ultra同期发售，标志着国产高端存储芯片首次进入主流旗舰手机供应链。

核心突破：工艺接近全球最顶尖的内存量产平台制程

据介绍，G5平台在关键工艺维度实现了多项行业领先的技术突破。依托创新的四重曝光技术把内存阵列的有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。通过变革工艺流程、采用新材料，存储电容深宽比达45:1。开发适配DRAM工艺的高介电常数金属栅（HKMG）工艺，成功将G5平台核心功能区高度缩小到6762纳米。

本次大会上，长鑫存储同步展出两款基于G5平台打造的LPDDR5X量产产品，单颗容量均为24Gb，较上一代同类型产品提升50%，分别采用496Ball、245Ball封装规格，可适配中高端智能手机、便携式消费电子等不同场景需求，目前均已进入规模量产阶段。

产业意义：高端存储技术路线上的里程碑式突破

长鑫存储表示，G5平台工艺水平比肩行业顶尖量产工艺节点，是长鑫存储在高端存储技术路线上的里程碑式突破，能够为全球存储产业提供更具创新性、更具供应链韧性的解决方案。未来，公司将持续面向全球市场需求推进技术迭代，推出更高性能、更高可靠性的存储产品，为全球数字产业发展提供坚实的底层存储支撑。

资本市场方面，今年7月27日长鑫正式登陆科创板，以579亿元募资规模成为科创板史上最大IPO。2026年H1营收1503.1亿元、同比+873.64%，归母净利润776.05亿元，抹平成立来全部亏损，在业绩兑现上与技术突破同步。

产业传导：多家设备、材料厂商卡位长鑫供应链

值得指出的是，长鑫DRAM达到国际主流工艺的等效水平，后续若以这种能力可转化为可持续的产能扩张，将在技术路径跑通的基础上形成扩产确定性。

按照Wind所属热门概念划分，截至8月底，半导体设备ETF招商（561980）标的指数“长鑫存储”概念含量高达60%，多家成分股在长鑫供应链中处于核心卡位。

1.北方华创向长鑫供应刻蚀、薄膜沉积、热处理、清洗等多类设备，其中12寸TSV设备已成熟并大批量出货。

2.中微公司的电容耦合等离子体刻蚀机已在长鑫DRAM多个关键制程中批量应用，下一代高深宽比刻蚀机型正在产线验证。

3.拓荆科技是长鑫核心薄膜设备供应商，PECVD/ALD/SACVD设备已在产线批量应用。

4.雅克科技在长鑫前驱体采购份额中占比60%以上，其中17nm DRAM制程所用的High-k前驱体为独家供应等等。

摩根大通预计，受惠于长鑫存储及长江存储IPO推进，本地晶圆厂设备供货商的内存及先进逻辑需求在2026年将分别按年增长超过50%、30%，2027年将有进一步上升空间。

该机构还指出，随着本土人工智能芯片产量从2026年下半年开始增加，后端设备供货商亦可受惠于先进封装、测试等增量需求。半导体设备公司增长能见度延长有助支持板块估值维持高位。

资料显示，半导体设备ETF招商（561980）跟踪中证半导，北方华创、中微公司、雅克科技等半导体设备材料占比高达80%，同时布局寒武纪、海光信息、中芯国际等算力芯片与晶圆制造龙头（20%），截至9月18日2020年来累计涨469%，大幅领先半导体材料设备（348%）、科创芯片(298%)等同类指数，高弹性特征突出。

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