内部扩产、外部并购，银河微电斥超10亿元投建高端功率器件项目

21世纪经济报道记者 孙燕

9月21日晚间，常州半导体分立器件厂商银河微电（688689.SH）公告称，拟以自有或自筹资金10.78亿元投资实施“高端核心器件产业化及创新能力建设项目”。

银河微电表示，该公司现阶段产品以常规分立器件为主，相关产品布局相对不足。该项目将新建产线，实现小信号器件、功率器件和智能功率模块等产品的规模化生产，丰富产品矩阵，优化产品结构，增强综合竞争力。

此前在6月，银河微电拟通过发行股份的方式购买恒泰柯半导体（上海）有限公司（以下简称“恒泰柯”）100%股权并募集配套资金，以突破功率半导体高阶赛道。

在内部扩产、外部并购之下，该公司拟补齐中高压功率器件技术短板，快速切入新能源汽车、储能等高增长赛道。

9月22日上午，银河微电涨3.84%，报42.47元/股。

10.78亿元投建高端核心器件项目

银河微电此次拟投建的项目，为该公司已披露项目“高端集成电路分立器件产业化基地一期厂房建设项目”的延续，也是产业化落地的关键环节。前置项目主要完成土地购置及厂房土建等基础设施建设，该项目主要在一期厂房基础上实施装修改造、设备购置安装、产线调试及客户验证。

从产品定位来看，该项目所涉产品是指采用SGT/SJ、IGBT、SiC/GaN等先进芯片结构，通过AEC-Q101等高可靠性认证，面向新能源汽车、储能、工业控制等高门槛场景，具备低损耗、高抗ESD/雪崩能力、长寿命的功率分立器件与第三代半导体器件，主要包含SGT MOS、超结MOS、IGBT及模块、SiC器件、IPM模块、车规TVS/ESD等，区别于传统消费类小信号二极管、普通低压平面器件。

这一选择与行业技术演进趋势高度同步。目前，SGT、超结Super-Junction等新型硅基MOSFET芯片结构已全面规模化量产应用；第三代半导体SiC/GaN器件商业化迎来爆发拐点，新能源车800V高压平台带动车用SiC模块渗透率快速攀升，GaN器件在AI服务器电源、高频快充场景中批量应用。

可以看到，该项目瞄准的正是当前需求增长最快、技术门槛最高、自主创新空间最大的细分赛道。

而银河微电的主要产品包括小信号器件、功率器件等半导体元器件，在功率器件方面主要集中在低压领域。

“半导体分立器件是电子设备的基础元器件，相关产品在耐压、损耗、精度、稳定性等方面要求较高，广泛应用于汽车电子、工业控制、新能源等领域。当前国内相关产品供给仍有提升空间，公司现有产能主要面向常规产品，相关产能存在一定缺口。”银河微电表示，该项目将实现小信号器件、功率器件和智能功率模块等产品的规模化量产，有助于补充相关产能，提升相关产品供给能力。

按照规划，该项目建设周期为3年，预计开工时间为2027年1月1日。不过，公司在公告中也提示了潜在风险：该项目资金来源为自有资金或自筹资金，若通过银行借款等自筹方式融资，可能新增财务费用，对公司经营业绩和现金流产生一定影响。

并购“补短板”

此次10.78亿元扩产并非孤立动作。今年6月，银河微电已启动对恒泰柯100%股权的收购。

预案显示，恒泰柯拥有行业一流的中压SGT MOSFET技术和高压Super Junction技术。与国内其他竞争对手相比，恒泰柯在150V～200V范围内的中高压SGT MOSFET已达到国产顶尖水准，可直接Pin-to-Pin对标并替代英飞凌中压系列产品。

将并购标的的技术优势与扩产项目的核心品类相对照可以看到，银河微电此次扩产的核心品类为SGT MOS、超结MOS、IGBT，与恒泰柯的技术优势赛道高度重叠——该公司正通过“并购获取技术能力+自建实现产能落地”的组合拳，突围功率半导体高阶赛道。

业绩方面，恒泰柯2024年、2025年营业收入分别为2.06亿元和1.93亿元，归母净利润分别为3223.25万元和3571.80万元，已实现常态化盈利。

银河微电在预案中表示，收购恒泰柯将帮助该公司迅速补足中高压功率半导体器件方面的技术短板，快速推进中高压功率器件、车规级器件等重点产品的迭代升级与新品落地。

今年以来，功率半导体行业并购整合、落后产能出清节奏进一步加快。此前在5月，紫光国微披露重组草案，拟以19亿元收购瑞能半导体100%股权，从特种芯片设计公司跃升为“数字+功率”双赛道IDM平台。

数据也印证了这一行业格局的演变：2026年上半年，国内功率半导体行业CR3、CR5集中度较2025年末继续上行，行业“头部集中领跑、中小厂商深耕细分特色赛道”的格局愈发清晰。