长鑫、中微、源杰发声！半导体龙头解读AI景气传导链

21世纪经济报道记者 张赛男 

半导体产业链的三季报，把同一轮AI景气写成了三个层次的向上曲线。

长鑫科技（688825.SH）预计前三季度归母净利润1310亿元至1325亿元，交出了A股半导体历史上罕见的利润体量。源杰科技（688498.SH）第三季度实现净利润4.03亿元至4.53亿元，同比增加578.85%至659.70%。中微公司（688012.SH）预计2026年全年新签订单金额将超过100亿元。

三家公司处在产业链的不同位置，却指向同一个判断：中国半导体的景气不是单点爆发，而是从存储利润到光芯片盈利、再到设备订单的全链条共振。

DRAM供需缺口长期存在

长鑫科技的三季报预告放在整个A股半导体板块里，是一个标志性事件。公司预计前三季度实现营业收入约2650亿元至2700亿元，同比增加约2329亿元至2379亿元；净利润约1310亿元至1325亿元，同比扭亏为盈。

支撑这一利润体量的，是存储供需缺口的刚性，也是国产存储供给能力的实质性提升。

长鑫科技相关负责人对21世纪经济报道记者表示，AI产业对于服务器端的DRAM需求提升是直接且迅速的，而长远来看，端侧AI的进步也将推动移动设备、个人电脑、智能汽车等领域对DRAM需求的不断扩张。

“DRAM需求上升速度极快，供给却是刚性的，这个缺口短期内难以弥合。”该人士还给出了清晰的产业框架：单台AI服务器的DRAM用量是传统服务器的8到10倍。这意味着每新增一台AI服务器，都在以数倍的强度消耗存储产能。2026年服务器DRAM在整体DRAM需求中的占比预计将超过50%，DRAM正在从“配套元件”变成决定AI算力效率的“核心成本项”。

而从供给来看，存储产能建设周期已经被拉长到两年以上。“无尘室建设、设备交付、良率爬坡，每个环节都需要时间，而半导体设备上游零组件的供应本身也处于紧张状态。产能建设周期这一底层约束，决定了本轮DRAM的需求缺口将难以被很快填充。”上述负责人说。

谈到中国DRAM产业，就绕不开长鑫科技。公司产能规模位居中国第一、全球第四，产品已进入阿里云、字节跳动、腾讯、联想、小米、荣耀、传音、OPPO、vivo等主流厂商供应链。按Omdia数据测算，公司2025年第四季度全球DRAM市场份额约7.67%，2026年第二季度进一步提升。

“我国是全球主要DRAM消费市场，本土产品自给率仍较低，未来发展空间广阔，是确定性最高的长期方向之一。”该人士对记者说道。

国内激光器进入高端供应链

源杰科技的三季度数据呈现的是中国光芯片企业切入高端数据中心市场的加速度。

公司预计第三季度实现营业收入6.5亿元至7亿元，同比增加264.56%至292.60%；净利润4.03亿元至4.53亿元，同比增加578.85%至659.70%。收入增长主要系数据中心业务收入增长：CW产品出货持续增长，需求旺盛；产品毛利率仍维持高位；费用占比同比明显下降。

源杰科技的核心产品是半导体激光器芯片，这是AI算力建设的核心部件：大模型训练与推理需要超大规模计算集群，光连接主要解决GPU算力卡之间的传输问题，AI投资强度提升直接拉动了光模块及上游激光器芯片的发展。

据介绍，源杰科技当前主要出货数据中心用CW激光器（70mW、100mW）及100G EML产品。未来将面向NPO、CPO、更高速率可插拔模块等场景，研发验证更大功率及更高速率的激光器产品。

源杰科技相关负责人在分析光芯片市场格局时称，目前光模块领域中国公司占据头部地位，但激光器芯片领域仍以美国、日本等海外企业为主导。

“AI需求的爆发导致供需不平衡，为国产激光器公司提供了切入高端数据中心市场的机会窗口。”该人士向21世纪经济报道记者透露，国内激光器公司在技术积累、制造工艺方面具备与国际头部公司竞争的能力，在产能扩张、产品迭代上具备优势，已进入高端数据中心供应链，开始向海内外销售CW、EML等激光器产品。

但其亦坦言：“在最高速率的激光器产品上仍需花费时间进一步发展与追赶。”该人士分析，行业存在多重进入壁垒，包括激光器领域技术难度大、制造工艺需长期积累、客户认证周期长且黏性大等，同时产能建设投资要求高，对新进入者形成较强障碍。

‌先进制程推动刚性设备支出

存储与光芯片的景气，最终沿着产业链传导到了最上游的设备环节。

中微公司此前披露，上半年在手订单金额超180亿元，其中刻蚀设备、薄膜沉积设备等成熟产品订单饱满，交付周期已排至2027年上半年，预计2026年全年新签订单金额将超过100亿元。

这正是半导体设备产业景气传导的典型形态。“存储需求的放量，首先体现为对设备的采购。半导体制造业的资本开支，七成以上投向设备。而且制程越先进，设备占比越高。SEMI中国数据显示，晶圆厂投资中设备占70%至80%。”中微公司高管对21世纪经济报道记者分析。

与此同时，半导体设备支出还呈现一个特点，即每向前推进一个先进制程节点，单位产能的设备支出就要迈上一个台阶。产业测算，3纳米节点每单位产能的投资较5纳米增加38%至55%，2纳米较3纳米再增加约50%。

“先进工艺的开发，往往是客户提出需求、提供场景，设备企业开发设备、调通工艺，双方在联合开发中共同成长。这种深度协同的模式，使设备企业更早介入客户的路线图，也使其需求更为平滑。正因如此，越是先进的设备，其需求的波动性近年来反而越小。”该人士分析。

日前，中微公司宣布，Primo Domingo®气相高选择性刻蚀设备全球首台机顺利付运国内重要集成电路研发制造客户。芯片架构三维化正成为支持芯片持续缩微的重要动能，而高选择性刻蚀工艺是三维器件制造的最关键工艺之一。针对GAA、3D NAND、3D DRAM等器件工艺需求，中微公司在高选择性刻蚀设备领域的重要突破，填补了国内在下一代3D半导体器件制造中关键刻蚀工艺的自主化空白。

中微公司已从单一刻蚀设备厂商稳步成长为综合半导体设备平台企业，累计开发出54种高端半导体设备。“半导体设备是一门长周期的慢功夫，唯有奉行长期主义，持续投入技术创新，与客户、与供应链共同成长，才能为产业、也为投资者带来稳健可持续的回报。”前述高管表示。

从存储芯片到光芯片，再到半导体设备，中国半导体产业链正在AI算力革命的拉动下，完成从盈利到份额、从份额到扩产、从扩产到设备订单的多维度跃升。